河北大学学报(自然科学版) ›› 2003, Vol. 23 ›› Issue (2): 133-136,140.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2003.02.007

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两种调制方式下微腔半导体激光器的抗噪声性能

赵顺龙,王英龙,闫正,郑云龙,丁文革,杨保柱   

  1. 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
  • 出版日期:2003-05-25 发布日期:2003-05-25
  • 基金资助:
    河北省自然科学基金

Anti-noise Properties of Micro-cavity Semiconductor Laser for TwOModulation Methods

  • Online:2003-05-25 Published:2003-05-25

摘要: 假定输入调制信号为实际语音信号,伴随语音信号的噪声为加性白噪声,在大输入信噪比前提下,对微腔半导体激光器的自发发射寿命调制、光子寿命调制两种调制方式进行了频域分析,得到了不同参数下的信噪比增益.数值模拟的结果表明,如带通滤波器的通带范围取为300~3 400 Hz,激光器的抗噪声性能基本不依赖于腔内参数;当带通滤波器的通带范围增大到一定程度,调整偏置电流和腔内参数可以实现两种调制下半导体激光器的高抗噪声性能.

关键词: 微腔半导体激光器, 自发发射寿命调制, 光子寿命调制, 抗噪声性能

中图分类号: