一种SET的SPICE宏模型及SET/CMOS混合系统仿真研究

  • 马彦芬 ,
  • 杨晓光 ,
  • 孙铁署
展开
  • 1.河北工业大学,电气与自动化学院,天津,300130; 2.中国人民解放军,95809部队78分队,河北,沧州,061036

网络出版日期: 2009-01-25

A SPICE Macromodel and Simulation Research on the SET/CMOS Hybrid System

  • MA Yan-fen ,
  • YANG Xiao-guang ,
  • SUN Tie-shu
Expand

Online published: 2009-01-25

摘要

基于单电子晶体管(SET)数学分析模型,改进了它的SPICE宏模型.该模型考虑了背景电荷的影响,由1个电压控制电流源、1个电压控制电压源构成.与准分析模型相比较,该模型准确地表现了SET的I-U特性.通过A/D转换器的仿真实例表明,所设计的3位SET/CMOS混合系统具有良好的适用性和精确度,可以推广到SET/CMOS混合系统的管子级设计.

本文引用格式

马彦芬 , 杨晓光 , 孙铁署 . 一种SET的SPICE宏模型及SET/CMOS混合系统仿真研究[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2009 , 29(1) : 95 -98 . DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2009.01.022

参考文献

[1] 王伟, 黄岚, 张宇, 李昌敏, 张海黔, 顾宁, 沈浩瀛, 陈堂生, 郝丽萍, 彭力, 赵丽新. 用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo模拟 [J]. 物理学报 2002.doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2002.01.012
[2] 杜磊, 庄奕琪, 江文平. 单电子晶体管I-V特性数值分析 [J]. 西安电子科技大学学报(自然科学版) 2002.doi:10.3969/j.issn.1001-2400.2002.02.002
[3] 郭荣辉, 赵正平, 郝跃, 刘玉贵, 武一宾, 吕苗, Guo Rong-Hui, ZHAO Zheng-ping, Hao Yue, LIU Yu-gui, WU Yi-bin, Lü Miao. 多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析 [J]. 物理学报 2005.doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.060
[4] 张志勇, 王太宏. 单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件 [J]. 物理学报 2003.doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.039
[5] Andreas Scholze, A. Schenk, Wolfgang Fichtner. Single-electron device simulation [J]. IEEE Transactions on Electron Devices 2000, 10(10).
[6] WASSHUBER C. Computational single-electronics [M]. Beilin:Springer-Verlag 2001.
[7] Uchida K., Koga J., Ohba R., Takagi S., Toriumi A., Matsuzawa K.. Analytical single-electron transistor (SET) model for design and analysis of realistic SET circuits [J]. Japanese journal of applied physics 2000, 4B(4B).
[8] BOHR M T, MEMBER S. Nanotechnology goals and challenges for electronic applications [J]. IEEE Transations on Nanotechnology 2002, 1(01).
文章导航

/

〈 〉