氮化温度对ZnO薄膜结构特性的影响

  • 张丽 ,
  • 于威 ,
  • 许贺菊 ,
  • 张锦川 ,
  • 傅广生
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  • 1.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002; 2.华北煤炭医学院,基础部,河北,唐山,063000

网络出版日期: 2009-03-25

基金资助

河北省自然科学基金

Influence of Nitridation Temperature on the Microstructure of ZnO Films

  • ZHANG Li ,
  • YU Wei ,
  • XU He-ju ,
  • ZHANG Jin-chuan ,
  • FU Guang-sheng
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Online published: 2009-03-25

摘要

采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射技术,在蓝宝石(001)衬底上制备不同氮化温度的ZnO薄膜.结果表明,在200~600 ℃内, 不同的氮化温度对薄膜的表面形貌和晶格结构有显著影响.

本文引用格式

张丽 , 于威 , 许贺菊 , 张锦川 , 傅广生 . 氮化温度对ZnO薄膜结构特性的影响[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2009 , 29(2) : 150 -152 . DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2009.02.011

参考文献

[1] Uchida K., Yano F., Kouguchi M., Tanaka T., Minagawa S., Watanabe A.. NITRIDATION PROCESS OF SAPPHIRE SUBSTRATE SURFACE AND ITS EFFECT ON THE GROWTH OF GAN [J]. Journal of Applied Physics 1996, 7(7).
[2] Comprehensive study of ZnO films prepared by filtered cathodic vacuum arc at room temperature [J]. Journal of Applied Physics 2003, 3(3).
[3] Mei ZX, Du XL, Wang Y, Ying MJ, Zeng ZQ, Zheng H, Jia JF, Xue QK, Zhang Z. Controlled growth of Zn-polar ZnO epitaxial film by nitridation of sapphire substrate [J]. Applied physics letters 2005, 11(11).
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