SET-MOS混合结构的触发器设计及应用

  • 李芹 ,
  • 蔡理 ,
  • 李明
展开
  • 1.空军工程大学,理学院,陕西,西安,710051; 2.山东神戎电子股份有限公司,山东,济南,250101

网络出版日期: 2009-07-25

基金资助

空军工程大学理学院科研项目,陕西省自然科学基金

Design and Application of Hybrid SET-MOS Flip-flop Circuit

  • LI Qin ,
  • CAI Li ,
  • LI Ming
Expand

Online published: 2009-07-25

摘要

基于SET-MOS混合结构的或非门构建了基本RS触发器和主从式D触发器,对所设计的新型触发器电路进行了分析研究,并将其应用到寄存器和移位寄存器电路.利用SPICE对所设计的触发器电路进行仿真验证,仿真结果表明电路运行良好.该新型触发器电路与SET实现的电路相比,具有更高的驱动能力;与传统CMOS电路相比,电路的功耗仅为10-10 W的数量级.

本文引用格式

李芹 , 蔡理 , 李明 . SET-MOS混合结构的触发器设计及应用[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2009 , 29(4) : 438 -442 . DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2009.04.024

参考文献

[1] 孙铁署, 蔡理, 马彦芬. 一种基于互补型单电子晶体管D触发器设计 [J]. 河北大学学报(自然科学版) 2004.doi:10.3969/j.issn.1000-1565.2004.06.020
[2] 李芹, 蔡理, 王森, 吴刚, LI Qin, CAI Li, WANG Sen, WU Gang. 一种新型单电子-MOS晶体管混合的半加器电路 [J]. 空军工程大学学报(自然科学版) 2008.doi:10.3969/j.issn.1009-3516.2008.01.020
[3] WASSHUBER C. Computational Single electronics [M]. New York:Springer-Verlag, Wien 2001.
[4] Korotkov AN., Likharev KK., Chen RH.. POSSIBLE PERFORMANCE OF CAPACITIVELY COUPLED SINGLE-ELECTRON TRANSISTORS IN DIGITAL CIRCUITS [J]. Journal of Applied Physics 1995, 4(4).
[5] VENKATARATNAM A, GOEL A K. Design and simulation of logic circuits with hybrid architectures of single electron transistors and conventional devices [A]. Lausanne
[6] ZHANG W C, WU N J, HASHIZUME T. Novel Hybrid Voltage Controlled Ring Oscillators Using Single Electron and MOS Transistors [J]. IEEE Transactions on Nanotechnology 2007, 6(02).
[7] LI Qin, CAI Li, ZHOU Youjie. Design and simulation of logic circuits by combined single-electron/MOS transistor structures [A]. Sanya 2008.
[8] Santanu Mahapatra, Vaibhav Vaish, Christoph Wasshuber, Kaustav Banerjee, Adrian Mihai Ionescu. Analytical Modeling of Single Electron Transistor for Hybrid CMOS-SET Analog IC Design [J]. IEEE Transactions on Electron Devices 2004, 11(11).
[9] 王毓银. 数字电路逻辑设计:脉冲与数字电路 [M]. 北京:高等教育出版社 1999.
文章导航

/

〈 〉