静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系

杨洁; 刘尚合; 刘红兵; 祁树锋

doi:10.3969/j.issn.1000-1565.2007.06.014

河北大学学报(自然科学版) >

2007 , Vol. 27 >Issue 6: 620 - 624

DOI: https://doi.org/10.3969/j.issn.1000-1565.2007.06.014

静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系

杨洁 ,
刘尚合 ,
刘红兵 ,
祁树锋

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1.军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003； 2.中国电子科技集团公司,第十三研究所,河北,石家庄,050000

网络出版日期: 2007-11-25

基金资助

国家自然科学基金，国家自然科学基金

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Relationship Between ESD Injected Times and Latent Damage in Semi-conductor Transistors

YANG Jie ,
LIU Shang-he ,
LIU Hong-bing ,
QI Shu-feng

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Online published: 2007-11-25

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摘要

为研究硅双极晶体管中由ESD注入引起的潜在性失效与放电次数间的关系,对微波低噪声小功率硅双极器件进行了同一电压不同次数的人体模型ESD注入实验.注入电压为1.50 kV.注入管脚为器件对ESD最敏感的端对.器件分组注入不同次数的ESD后,将注入和未注入过ESD的器件同时进行加速寿命实验.通过比较各组器件损伤率的大小来反映器件使用寿命的变化.经统计分析与计算发现:开始时,随放电次数的增加,器件出现潜在性失效的概率增大,当概率达到一定极限值后,又会随放电次数的增大而减小,说明ESD的注入不仅可能在部分硅器件内部造成潜在性失效,也可能提高另外一部分器件的可靠性.

关键词： 硅双极晶体管; 静电放电; 潜在性失效; 注入次数; 微波低噪声小功率; 加速寿命实验

本文引用格式

杨洁 , 刘尚合 , 刘红兵 , 祁树锋 . 静电放电次数与半导体器件潜在性失效的关系[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2007 , 27(6) : 620 -624 . DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2007.06.014

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