单片微控制器系统的静电放电敏感性研究

宋学君; 张希军; 刘尚合

doi:10.3969/j.issn.1000-1565.2007.06.016

河北大学学报(自然科学版) >

2007 , Vol. 27 >Issue 6: 630 - 633

DOI: https://doi.org/10.3969/j.issn.1000-1565.2007.06.016

单片微控制器系统的静电放电敏感性研究

宋学君 ,
张希军 ,
刘尚合

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1.军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003;河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016； 2.军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003

网络出版日期: 2007-11-25

基金资助

国家自然科学基金

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Research on ESD Susceptibilities of Single Chip Microcontrollers Systems

SONG Xue-jun ,
ZHANG Xi-jun ,
LIU Shang-he

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Online published: 2007-11-25

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摘要

分别以2种常用的微控制器芯片80C196和AT89C51为核心设计的2种单片微控制器系统做为目标测试板,利用静电放电电磁脉冲分别对这2种系统进行静电放电效应实验研究,并对其失效机理进行分析.实验结果表明, 80C196单片微控制器系统对静电放电比89C51单片微控制器系统敏感,单片机系统在静电放电电磁脉冲作用下出现死机、跳转、重启动、RAM内容改写等功能失效现象.

关键词： 单片机系统; 静电放电; 电磁脉冲敏感性

本文引用格式

宋学君 , 张希军 , 刘尚合 . 单片微控制器系统的静电放电敏感性研究[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2007 , 27(6) : 630 -633 . DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2007.06.016

参考文献

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