[1] 王伟, 黄岚, 张宇, 李昌敏, 张海黔, 顾宁, 沈浩瀛, 陈堂生, 郝丽萍, 彭力, 赵丽新. 用分子自组装技术制备的单电子器件的Monte Carlo模拟 [J]. 物理学报 2002.doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2002.01.012
[2] 杜磊, 庄奕琪, 江文平. 单电子晶体管I-V特性数值分析 [J]. 西安电子科技大学学报(自然科学版) 2002.doi:10.3969/j.issn.1001-2400.2002.02.002
[3] 郭荣辉, 赵正平, 郝跃, 刘玉贵, 武一宾, 吕苗, Guo Rong-Hui, ZHAO Zheng-ping, Hao Yue, LIU Yu-gui, WU Yi-bin, Lü Miao. 多岛单电子晶体管的实现及其源漏特性分析 [J]. 物理学报 2005.doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2005.04.060
[4] 张志勇, 王太宏. 单电子晶体管-金属氧化物半导体场效应晶体管多峰值负微分电阻器件 [J]. 物理学报 2003.doi:10.3321/j.issn:1000-3290.2003.07.039
[5] Andreas Scholze, A. Schenk, Wolfgang Fichtner. Single-electron device simulation [J]. IEEE Transactions on Electron Devices 2000, 10(10).
[6] WASSHUBER C. Computational single-electronics [M]. Beilin:Springer-Verlag 2001.
[7] Uchida K., Koga J., Ohba R., Takagi S., Toriumi A., Matsuzawa K.. Analytical single-electron transistor (SET) model for design and analysis of realistic SET circuits [J]. Japanese journal of applied physics 2000, 4B(4B).
[8] BOHR M T, MEMBER S. Nanotechnology goals and challenges for electronic applications [J]. IEEE Transations on Nanotechnology 2002, 1(01). |
