摘要: 对入射频率100~1 000 MHz内通过矩形开孔耦合入金属腔体内部的场强分布进行了实验研究,分析了矩形开孔尺寸与发生谐振现象时腔体内部场强分布间的关系,为从理论角度定量研究腔体内部耦合场强分布提供了实验依据,对电子设备金属腔体内的PCB板或敏感元器件的放置方式起到一定的指导作用.
中图分类号:
夏志勇,王辉,胡新,肖集雄,徐晓英. 带开孔金属腔体内部耦合场强分布的实验研究[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2010, 30(5): 481-484,593.
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