静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用

doi:10.3969/j.issn.1000-1565.2010.05.032

河北大学学报(自然科学版) ›› 2010, Vol. 30 ›› Issue (5): 590-593.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2010.05.032

静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用

杨洁¹,刘升²,武占成¹,张希军¹

1.军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003； 2.河北广播电视大学,教学指导中心,河北,石家庄,050071

出版日期:2010-09-25 发布日期:2010-09-25
基金资助:
国家自然科学基金资助项目

Double Effects of ESD on High-frequency Low-power Silicon Transistors

YANG Jie¹,LIU Sheng²,WU Zhan-cheng¹,ZHANG Xi-jun¹

Online:2010-09-25 Published:2010-09-25

摘要/Abstract

摘要： 为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效阈值的静电放电注入可能在该类晶体管内部造成潜在性失效,另一方面发现静电放电的注入也可能类似退火,对部分该类晶体管起到了训练加固的作用.

关键词: 硅双极晶体管, 静电放电, 潜在性失效, 加固, 高频小功率

中图分类号:

O441

杨洁,刘升,武占成,张希军. 静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2010, 30(5): 590-593.

YANG Jie,LIU Sheng,WU Zhan-cheng,ZHANG Xi-jun. Double Effects of ESD on High-frequency Low-power Silicon Transistors[J]. Journal of Hebei University (Natural Science Edition), 2010, 30(5): 590-593.

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静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用

Double Effects of ESD on High-frequency Low-power Silicon Transistors

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