河北大学学报(自然科学版) ›› 2006, Vol. 26 ›› Issue (4): 362-365,372.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2006.04.008
丁文革,张江勇,马立彬,于威,傅广生
DING Wen-ge,ZHANG Jiang-yong,MA Li-bin,YU Wei,FU Guang-sheng
摘要： 给出了一种分析表面粗糙度对氮化硅(SiNx)薄膜光热偏折谱(PDS)影响的简单方法.得出了光散射影响下,由PDS实验测得的薄膜的吸收系数与表面粗糙度的函数关系式.在此基础上,对PDS测得的具有纳米量级表面粗糙度的SiNx薄膜的吸收系数进行了修正,并进一步给出了不同薄膜厚度和表面粗糙度情况下,PDS测量结果的偏差.结果表明,在较低能量区域, PDS实验测得的薄膜吸收系数偏差较大,这种偏差不仅取决于薄膜的表面粗糙度,而且与薄膜的厚度相关,较大的表面粗糙度和较小的薄膜厚度将使其偏差显著增加;而在高能区域, 这种偏差很小,可以忽略.
中图分类号:
