河北大学学报(自然科学版) ›› 2007, Vol. 27 ›› Issue (6): 630-633.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2007.06.016

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单片微控制器系统的静电放电敏感性研究

宋学君1,张希军2,刘尚合2   

  1. 1.军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003;河北师范大学,物理科学与信息工程学院,河北,石家庄,050016; 2.军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003
  • 出版日期:2007-11-25 发布日期:2007-11-25
  • 基金资助:
    国家自然科学基金

Research on ESD Susceptibilities of Single Chip Microcontrollers Systems

SONG Xue-jun1,ZHANG Xi-jun2,LIU Shang-he2   

  • Online:2007-11-25 Published:2007-11-25

摘要: 分别以2种常用的微控制器芯片80C196和AT89C51为核心设计的2种单片微控制器系统做为目标测试板,利用静电放电电磁脉冲分别对这2种系统进行静电放电效应实验研究,并对其失效机理进行分析.实验结果表明, 80C196单片微控制器系统对静电放电比89C51单片微控制器系统敏感,单片机系统在静电放电电磁脉冲作用下出现死机、跳转、重启动、RAM内容改写等功能失效现象.

关键词: 单片机系统, 静电放电, 电磁脉冲敏感性

中图分类号: