静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用

  • 杨洁 ,
  • 刘升 ,
  • 武占成 ,
  • 张希军
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  • 1.军械工程学院,静电与电磁防护研究所,河北,石家庄,050003; 2.河北广播电视大学,教学指导中心,河北,石家庄,050071

网络出版日期: 2010-09-25

基金资助

国家自然科学基金资助项目

Double Effects of ESD on High-frequency Low-power Silicon Transistors

  • YANG Jie ,
  • LIU Sheng ,
  • WU Zhan-cheng ,
  • ZHANG Xi-jun
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Online published: 2010-09-25

摘要

为了深入研究静电放电对双极晶体管的作用效应是否发生改变,对目前广泛使用的高频小功率硅双极晶体管的静电放电失效进行了实验分析.采用相应的静电放电模拟器,进行不同电压的静电放电注入实验再配合加速寿命实验,一方面验证了低于失效阈值的静电放电注入可能在该类晶体管内部造成潜在性失效,另一方面发现静电放电的注入也可能类似退火,对部分该类晶体管起到了训练加固的作用.

本文引用格式

杨洁 , 刘升 , 武占成 , 张希军 . 静电放电对高频小功率硅晶体管的双重作用[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2010 , 30(5) : 590 -593 . DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2010.05.032

参考文献

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[3] HUH Y, LEE M G, LEE J. A study of ESD-induced latent damage in CMOS integrated circuits [A]. Reno, Nevada, CA 1998.
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