河北大学学报(自然科学版) ›› 2002, Vol. 22 ›› Issue (1): 87-91.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2002.01.023

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金刚石n型掺杂的研究进展

韩佳宁,赵庆勋,辛红丽,文钦若   

  1. 河北大学物理科学与技术学院,河北,保定,071002
  • 出版日期:2002-02-25 发布日期:2002-02-25
  • 基金资助:
    河北省自然科学基金

Investigation of n- type Doping of Diamond

  • Online:2002-02-25 Published:2002-02-25

摘要: 对金刚石n型掺杂工艺中的施主元素的类型、机理、及所使用的基底材料和方法进行了综合评述,并对I族元素(Li,Na),V族元素(N,P),Ⅵ族元素(O,S)等施主元素掺杂后的性能进行了比较.分析表明:采用CVD法,掺入硫杂质应是较理想的掺杂方式.

关键词: 掺杂, n型半导体, 金刚石

中图分类号: