河北大学学报(自然科学版) ›› 2004, Vol. 24 ›› Issue (3): 247-250.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2004.03.007

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反应气压对氢化非晶氮化硅薄膜的发光特性影响

朱海丰,杨彦斌,路万兵,于威   

  1. 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
  • 出版日期:2004-05-25 发布日期:2004-05-25
  • 基金资助:
    河北省自然科学基金

Influence of Gas Pressure on Luminescent Properties of a - SiNx :H Films

  • Online:2004-05-25 Published:2004-05-25

摘要: 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HWP-CVD)技术制备了氢化非晶氮化硅(a-SiNx:H)薄膜,利用光致发光谱(PL)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)研究了不同气压条件下所形成薄膜的发光特性.结果表明,在较高气压条件下,所沉积薄膜的发光峰位在2.5 eV附近;减小气压使薄膜的沉积速率下降,其内部原子微观结构发生变化,薄膜的发光峰位在3.05 eV处,其半高宽为1.48 eV.

关键词: 氢化非晶氮化硅, 光致发光, 反应气压

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