河北大学学报(自然科学版) ›› 2005, Vol. 25 ›› Issue (4): 369-372,398.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2005.04.008

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H2/CH4/H2S/Ar气氛合成n型金刚石薄膜过程中硫分布的数值模拟

南景宇1,赵庆勋2,乔晓东2,闫正2,刘保亭2,张靖2   

  1. 1.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002;河北北方学院,物理系,河北,张家口,075028; 2.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
  • 出版日期:2005-07-25 发布日期:2005-07-25
  • 基金资助:
    河北省自然科学基金

Numerical Simulations of Particle Distributions for Sulfur Doped n-type Diamond Thin Film in the Mixture of H2/CH4/H2S/Ar

NAN Jing-yu1,ZHAO Qing-xun2,QIAO Xiao-dong2,YAN Zheng2,LIU Bao-ting2,ZHANG Jing2   

  • Online:2005-07-25 Published:2005-07-25

摘要: 本工作采用Monte Carlo方法,根据辉光放电理论,对以H2S为掺杂源气体采用EACVD技术合成n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程进行了模拟.得出不同气压、偏压情况下n型硫掺杂的金刚石薄膜的动力学过程中掺杂元素S和S+粒子数分布,计算结果对掺杂过程的研究具有参考价值.

关键词: Monte Carlo, 方法, 金刚石薄膜, n型掺杂, EACVD

中图分类号: