河北大学学报(自然科学版) ›› 2007, Vol. 27 ›› Issue (1): 24-27.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2007.01.009

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碳化硅薄膜的光学特性研究

于威1,吕雪芹1,宋维才2,路万兵1,傅广生1   

  1. 1.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002; 2.唐山师范学院,物理系,河北,唐山,063000
  • 出版日期:2007-01-25 发布日期:2007-01-25
  • 基金资助:
    河北省自然科学基金

Optical Properties of Silicon Carbide Film

YU Wei1,L(U) Xue-qin1,SONG Wei-cai2,LU Wan-bing1,FU Guang-sheng1   

  • Online:2007-01-25 Published:2007-01-25

摘要: 采用螺旋波等离子体增强化学气相沉积(HW-PECVD)技术制备了纳米晶碳化硅(nc-SiC)薄膜,利用傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射谱(XRD)、紫外-可见透射光谱(UV-Vis)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构、光学带隙、发光特性等进行了测量和分析.结果表明,所沉积薄膜主要以Si-C键合结构存在,薄膜中包含有立方结构的3C-SiC晶粒,光学带隙2.59 eV,室温下薄膜表现出强的可见蓝色光致发光,发光峰位随氙灯激发波长的增加呈现红移现象,并将此发光归因于量子限制效应作用的结果.

关键词: SiC薄膜, 薄膜结构, 光学带隙, 光致发光

中图分类号: