河北大学学报(自然科学版) ›› 2013, Vol. 33 ›› Issue (6): 583-586.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2013.06.005

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脉冲激光烧蚀单晶硅羽辉中粒子荷电特性

邓泽超,胡自强,丁学成,褚立志,王英龙   

  1. 河北省光电信息材料重点实验室,河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002
  • 出版日期:2013-11-25 发布日期:2013-11-25
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划前期专项基金资助项目,河北省自然科学基金资助项目,河北省高等学校科学研究资助项目

Charging properties of particles in plume generated by pulsed laser ablation of single silicon

DENG Zechao,HU Ziqiang,DING Xuecheng,CHU Lizhi,WANG Yinglong   

  • Online:2013-11-25 Published:2013-11-25

摘要: 在室温和真空环境中,引入外加直流电场,通过脉冲激光烧蚀单晶硅靶,在与电极板和羽辉轴线平行放置的衬底上沉积了一系列薄膜.扫描电子显微镜(SEM)、拉曼(Raman)散射谱和X线衍射(XRD)谱检测结果均表明,随着电压和衬底位置的变化,均无纳米晶粒形成.结合晶粒成核生长动力学,分析得出烧蚀羽辉中只包含硅原子、带正电硅离子和带负电的电子.

关键词: 脉冲激光烧蚀, 电场, 成核生长动力学

Key words: pulsed laser ablation, electric field, dynamics of nucleation and growth

中图分类号: