河北大学学报(自然科学版) ›› 2011, Vol. 31 ›› Issue (1): 20-23,41.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2011.01.005

• • 上一篇    下一篇

电场对脉冲激光沉积纳米Si晶粒尺寸和面密度分布的影响

王英龙,陈超,丁学成,褚立志,邓泽超   

  1. 河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002
  • 出版日期:2011-01-25 发布日期:2011-01-25
  • 基金资助:
    国家自然科学基金,河北省自然科学基金,河北大学自然科学基金课题

Influence of External Electric Field on the Size and Area Density of Si Nanoparticles Prepared by Pulsed Laser Ablation

WANG Ying-long,CHEN Chao,DING Xue-cheng,CHU Li-zhi,DENG Ze-chao   

  • Online:2011-01-25 Published:2011-01-25

摘要: 为了研究外加电场对脉冲激光沉积纳米Si晶粒的影响,采用XeCl准分子激光器,烧蚀高阻抗单晶Si靶,在10 Pa氩气环境下,调整外加电压的强度,沉积制备了一系列Si薄膜.X线衍射(XRD)谱仪、拉曼(Raman)谱、扫描电子显微镜(SEM)图像均显示纳米Si晶粒已经形成,随着靶衬间距的增加,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸和面密度分布均呈现先增大后减小的变化趋势,并且二者都在1.3 cm处达到最大值;同时随着外加电压的增大,衬底上纳米Si晶粒消失的位置离靶距离变短.从传榆动力学角度,对实验结果进行了定性分析.

关键词: 纳米Si晶粒, 激光烧蚀, 外加电场, 平均尺寸

中图分类号: