激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响

doi:10.3969/j.issn.1000-1565.2008.06.009

河北大学学报(自然科学版) ›› 2008, Vol. 28 ›› Issue (6): 592-595.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2008.06.009

激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响

邓泽超¹,马娜²,褚立志¹,王英龙¹

1.河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002； 2.河北大学,图书馆,河北,保定,071002

出版日期:2008-11-25 发布日期:2008-11-25
基金资助:
国家自然科学基金，河北省自然科学基金，河北省教育厅基金

Influence of Annealed Laser Energy on Crystallization of Amorphous Si Thin Films

DENG Ze-chao¹,MA Na²,CHU Li-zhi¹,WANG Ying-long¹

Online:2008-11-25 Published:2008-11-25

摘要/Abstract

摘要： 采用XeCl准分子脉冲激光,在真空环境中烧蚀单晶Si靶,在Si(111)和石英衬底上沉积生成非晶Si薄膜.在同样的环境下,用激光对非晶Si薄膜进行退火,通过扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对退火后的样品进行分析比较.结果表明,激光能量对非晶薄膜的晶化和纳米晶粒尺寸有重要影响.

关键词: 激光退火, 脉冲激光烧蚀, 纳米晶粒, 晶化

中图分类号:

邓泽超,马娜,褚立志,王英龙. 激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2008, 28(6): 592-595.

DENG Ze-chao,MA Na,CHU Li-zhi,WANG Ying-long. Influence of Annealed Laser Energy on Crystallization of Amorphous Si Thin Films[J]. Journal of Hebei University (Natural Science Edition), 2008, 28(6): 592-595.

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激光退火能量对非晶Si薄膜晶化的影响

Influence of Annealed Laser Energy on Crystallization of Amorphous Si Thin Films

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